12101J1R5CBTTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

12101J1R5CBTTR概述

基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 0.15pF .25pFTol ThinFilm 1210

薄膜器 1210（3225 公制）

得捷:
CAP THIN FILM 1.5PF 100V 1210

贸泽:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 0.15pF .25pFTol ThinFilm 1210

12101J1R5CBTTR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

电容 1.5 pF

容差 ±0.25 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.02 mm

宽度 2.5 mm

高度 0.93 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

材质 A-F/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

12101J1R5CBTTR引脚图与封装图

在线购买12101J1R5CBTTR

型号： 12101J1R5CBTTR

描述：基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 0.15pF .25pFTol ThinFilm 1210