12105J110GBTTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

12105J110GBTTR概述

基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 11pF 2%Tol ThinFilm 1210

11 pF 薄膜器 50 V 1210（3225 公制）

得捷:
CAP THIN FILM 11PF 50V 1210

贸泽:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 11pF 2%Tol ThinFilm 1210

安富利:
Cap Ceramic 11pF 50V C0G 2% SMD 1210 125°C T/R

12105J110GBTTR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50 V

电容 11 pF

容差 ±2 %

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.02 mm

宽度 2.5 mm

高度 0.93 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

材质 A-F/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

12105J110GBTTR引脚图与封装图

在线购买12105J110GBTTR

型号： 12105J110GBTTR

描述：基于硅的射频电容器/薄膜电容器 50V 11pF 2%Tol ThinFilm 1210