1PMT33AT3G

POWERMITE® 封装1PMT5.0AT1G/T3G 系列设计用于保护电压敏感组件，以抵抗高电压和高能量瞬变。 极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：200W @ 1 ms 1PMT5.0A − 1PMT36A 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 响应时间通常为 3 类 ESD 等级> 16kV/个人体模型 薄型 - 最大高度 1.1mm 整体式散热片/锁定插片 全金属底部,可消除通量截留 小体积 - 占用面积 8.45mm POWERMITE 在 JEDEC 注册为 DO-216AA ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor

**Zener Transient Voltage Suppressor in POWERMITE® Package**

The 1PMT5.0AT1G/T3G Series is designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high energy transients. Excellent clamping capability, high surge capability, low Zener impedance and fast response time.

欧时:
### 齐纳瞬态电压抑制器，采用 POWERMITE® 封装1PMT5.0AT1G/T3G 系列设计用于保护电压敏感组件，以抵抗高电压和高能量瞬变。 极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：200W @ 1 ms 1PMT5.0A − 1PMT36A 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 响应时间通常为 3 类 ESD 等级> 16kV/个人体模型 薄型 - 最大高度 1.1mm 整体式散热片/锁定插片 全金属底部,可消除通量截留 小体积 - 占用面积 8.45mm POWERMITE 在 JEDEC 注册为 DO-216AA ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor

艾睿:
ESD Suppressor TVS 33V 2-Pin1+Tab Power Mite T/R

Allied Electronics:
1PMT33AT3G, Uni-Directional TVS Diode, 200W, 2-Pin Powermite

安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R

Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 1KW 2-Pin Power Mite T/R