1N5312-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5312-1概述

Diode Current Reg. 100V 4.29mA 0.5W1/2W 2Pin DO-7

• 1N5283-1 THRU 1N5314-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/463

• CURRENT REGULATOR DIODES

• HIGH SOURCE IMPEDANCE

• METALLURGICALLY BONDED

• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

艾睿:
Diode Current Reg. 100V 4.29mA 500mW 2-Pin DO-7 Bag

1N5312-1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-7

外形尺寸

封装 DO-7

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买1N5312-1

型号： 1N5312-1

描述：Diode Current Reg. 100V 4.29mA 0.5W1/2W 2Pin DO-7

替代型号1N5312-1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N5312-1 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
1N5312-1E3 美高森美	功能相似	1N5312-1和1N5312-1E3的区别
1N5312TR-RECU Central Semiconductor	功能相似	1N5312-1和1N5312TR-RECU的区别
1N5312TR-RMCU Central Semiconductor	功能相似	1N5312-1和1N5312TR-RMCU的区别