1N5821G

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1N5821G概述

ON SEMICONDUCTOR  1N5821G.  肖特基整流器

肖特基势垒,3A 至 9A,

### 标准

带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


得捷:
DIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL


欧时:
### 肖特基势垒二极管,3A 至 9A,ON Semiconductor### 标准带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor


立创商城:
1N5821G


e络盟:
肖特基整流器


艾睿:
Rectifier Diode Schottky Si 30V 3A 2-Pin DO-201AD Bag


Allied Electronics:
ON Semi 1N5821G; Schottky Diode; 30V 3A; 2-Pin DO-201AD


Jameco:
Diode Schottky 30 Volt 3A 2-Pin Case 267-05 Bag


安富利:
Diode Schottky 30V 3A 2-Pin DO-201AD Bag


Chip1Stop:
Diode Schottky 30V 3A 2-Pin DO-201AD Bag


Verical:
Diode Schottky Si 30V 3A 2-Pin DO-201AD Bag


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1N5821G  Schottky Rectifier, 30 V, 3 A, Single, DO-201AD, 2 Pins, 500 mV


罗切斯特:
Diode Schottky 30V 3A 2-Pin DO-201AD Bag


1N5821G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 3.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 ≤3.00 A

针脚数 2

正向电压 500mV @3A

极性 Standard

热阻 28℃/W RθJA

正向电流 3 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 80 A

正向电压Max 500 mV

正向电流Max 3 A

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 125 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AD

外形尺寸

长度 9.5 mm

宽度 5.3 mm

高度 9.5 mm

封装 DO-201AD

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1N5821G
型号: 1N5821G
描述:ON SEMICONDUCTOR  1N5821G.  肖特基整流器
替代型号1N5821G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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