1N6267A 系列 31.5 V 1500 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制器
Mosorb devices are designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high-energy transients. They have excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time. These devices are ’s exclusive, cost-effective, highly reliable Surmetic axial leaded package and are ideally-suited for use in communication systems, numerical controls, process controls, medical equipment, business machines, power supplies and many other industrial/consumer applications, to protect CMOS, MOS and Bipolar integrated circuits.
额定电压DC 30.0 V
额定电流 36.0 A
额定功率 1.50 kW
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 28.5 V
电路数 1
耗散功率 1500 W
钳位电压 41.4 V
最大反向电压(Vrrm) 25.6V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 31.5 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 28.5 V
击穿电压 28.5 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 175℃
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-201AD
长度 9.5 mm
直径 5.30 mm
封装 DO-201AD
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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1.5KE30AG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
1N6282AG 安森美 | 完全替代 | 1.5KE30AG和1N6282AG的区别 |
1.5KE30ARL4G 安森美 | 完全替代 | 1.5KE30AG和1.5KE30ARL4G的区别 |
1N6282ARL4G 安森美 | 类似代替 | 1.5KE30AG和1N6282ARL4G的区别 |