1SMB6.0AT3G

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1SMB6.0AT3G概述

ON SEMICONDUCTOR  1SMB6.0AT3G  TVS二极管, AEC-Q221, AEC-Q101 1SMB系列, 单向, 6 V, 10.3 V, DO-214AA, 2 引脚

极性Polarization| 单向 Unidirectional

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反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 6V

反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 7.02V

峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 600W

峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 58.3A

额定耗散功率PdPower dissipation| 3W

Description & Applications| 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors;Features • Working Peak Reverse Voltage Range − 5.0 V to 170 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 6.7 V to 199 V • Peak Power − 600 W @ 1.0 ms • ESD Rating of Class 3 >16 kV per Human Body Model • Maximum Clamp Voltage @ Peak Pulse Current • Low Leakage < 5.0 uA Above 10 V • UL 497B for Isolated Loop Circuit Protection • Response Time is Typically < 1.0 ns • Pb−Free Packages are Available

描述与应用| 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器;特性 •工作峰值反向电压范围 - 5.0 V至170 V •标准齐纳击穿电压范围 - 6.7 V至199 V •峰值电力 - 600 W@1.0ms •每人体模型ESD额定值的类3(>16千伏) •最大钳位电压峰值脉冲电流 •低漏高于10 V<5.0 UA •UL497B用于隔离回路的电路保护 •响应时间通常<1.0ns •无铅包可用

1SMB6.0AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.00 V

工作电压 6 V

额定电流 58.3 A

电容 2300 pF

额定功率 600 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 7.02 V

电路数 1

针脚数 2

耗散功率 600 W

钳位电压 10.3 V

最大反向电压(Vrrm) 6V

测试电流 10 mA

最大反向击穿电压 7.37 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 6.67 V

击穿电压 6.67 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

工作结温Max 150 ℃

电源电压 6 VDC

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 3.95 mm

高度 2.28 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, Automation & Process Control, Industrial, 通用, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Automotive, Consumer Electronics, Medical

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

1SMB6.0AT3G引脚图与封装图
1SMB6.0AT3G引脚图
1SMB6.0AT3G封装焊盘图
在线购买1SMB6.0AT3G
型号: 1SMB6.0AT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON SEMICONDUCTOR  1SMB6.0AT3G  TVS二极管, AEC-Q221, AEC-Q101 1SMB系列, 单向, 6 V, 10.3 V, DO-214AA, 2 引脚
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