1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
**1500W Mosorb™ Zener Transient Voltage Suppressor Unidirectional**
Mosorb devices are designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high-energy transients. They have excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time.
得捷:
TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC AXIAL
立创商城:
Vrwm:43.6V 1.5kW
欧时:
### 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 43.6V 1.5KW 2-Pin Case 41A-04 Box
Allied Electronics:
SUPPRESSOR; 51VNOM.; 5.8 V TO 214VMAX REVERSEVOLTAGE,
安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 43.6V 1.5KW 2-Pin Case 41A-04 Box
富昌:
1N5908 系列 53.6 V 1500 W 单向 齐纳瞬态电压抑制二极管
Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 43.6V 1.5KW 2-Pin Case 41A-04 Box
Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 43.6V 1.5KW 2-Pin Case 41A-04 Box
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 1N6288AG TVS Diode, MOSORB Series, Unidirectional, 43.6 V, 70.1 V, Axial Leaded, 2 Pins
罗切斯特:
Diode TVS Single Uni-Dir 43.6V 1.5KW 2-Pin Case 41A-04 Box
工作电压 43.6 V
额定电流 21.4 A
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 48.5 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 1500 W
钳位电压 70.1 V
最大反向电压(Vrrm) 43.6V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 53.6 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 48.5 V
击穿电压 48.5 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 175℃
工作结温Max 175 ℃
电源电压 43.6 VDC
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-201AD
长度 9.5 mm
封装 DO-201AD
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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