1N4448,133

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1N4448,133中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1V @100mA

热阻 350℃/W RθJA

反向恢复时间 4 ns

正向电流 200 mA

正向电流Max 0.2 A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 200℃ Max

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-204AH

外形尺寸

宽度 1.85 mm

封装 DO-204AH

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买1N4448,133
型号: 1N4448,133
制造商: NXP 恩智浦
描述:DIODE HI-SPEED 100V 200mA DO-35
替代型号1N4448,133
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