1N5227BTR

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1N5227BTR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 3.60 V

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

正向电压 1.2V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 20 mA

稳压值 3.6 V

正向电压Max 1.2V @200mA

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 4.56 mm

宽度 1.91 mm

高度 1.91 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1N5227BTR
型号: 1N5227BTR
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:500mW,1N52 系列,Fairchild Semiconductor ### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor
替代型号1N5227BTR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1N5227BTR

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

1N5227B

飞兆/仙童

完全替代

1N5227BTR和1N5227B的区别

1N5989B_T50A

飞兆/仙童

完全替代

1N5227BTR和1N5989B_T50A的区别

1N5227B_T50A

飞兆/仙童

完全替代

1N5227BTR和1N5227B_T50A的区别

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