1N5261B-TP参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5261B-TP概述

DO-35 47V 0.5W1/2W

Zener Diode 47V 500mW ±5% Through Hole DO-35

得捷:
DIODE ZENER 47V 500MW DO35

艾睿:
Diode Zener Single 47V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

Chip1Stop:
Diode Zener Single 47V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

1N5261B-TP中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 47.0 V

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 2.7 mA

稳压值 47 V

正向电压Max 1.1V @200mA

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

长度 4.2 mm

宽度 2 mm

高度 2 mm

封装 DO-35

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买1N5261B-TP

型号： 1N5261B-TP

制造商： Micro Commercial Components 美微科

描述：DO-35 47V 0.5W1/2W

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替代型号1N5261B-TP

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