1N6012B-TP参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N6012B-TP概述

DO-35 33V 0.5W1/2W

- 齐纳 33 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35

得捷:
DIODE ZENER 33V 500MW DO35

艾睿:
Diode Zener Single 33V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

Chip1Stop:
Diode Zener Single 33V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

1N6012B-TP中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.5V @100mA

耗散功率 500 mW

稳压值 33 V

正向电压Max 1.5V @100mA

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买1N6012B-TP

型号： 1N6012B-TP

描述：DO-35 33V 0.5W1/2W

替代型号1N6012B-TP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N6012B-TP Micro Commercial Components 美微科	当前型号	当前型号
1N5257B-T 美台	功能相似	1N6012B-TP和1N5257B-T的区别
1N6012B 飞兆/仙童	功能相似	1N6012B-TP和1N6012B的区别
1N6012A 美高森美	功能相似	1N6012B-TP和1N6012A的区别