1N5263B-TP参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5263B-TP概述

DO-35 56V 0.5W1/2W

Zener Diode 56V 500mW ±5% Through Hole DO-35

得捷:
DIODE ZENER 56V 500MW DO35

艾睿:
Diode Zener Single 56V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

Chip1Stop:
Diode Zener Single 56V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

1N5263B-TP中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 56.0 V

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 2.2 mA

稳压值 56 V

正向电压Max 1.1V @200mA

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

长度 4.2 mm

宽度 2 mm

高度 2 mm

封装 DO-35

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买1N5263B-TP

型号： 1N5263B-TP

描述：DO-35 56V 0.5W1/2W

替代型号1N5263B-TP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N5263B-TP Micro Commercial Components 美微科	当前型号	当前型号
1N5264B-TP 美微科	类似代替	1N5263B-TP和1N5264B-TP的区别
NTE5042A NTE Electronics	类似代替	1N5263B-TP和NTE5042A的区别
NTE5045A NTE Electronics	功能相似	1N5263B-TP和NTE5045A的区别