1N5818 R0

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1N5818 R0概述

1A,Taiwan Semiconductor低功率损耗 低正向压降 高电流容量 ### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor

肖特基势垒,最大 1A,

低功率损耗

低正向压降

高电流容量


欧时:
### 肖特基势垒二极管,最大 1A,Taiwan Semiconductor低功率损耗 低正向压降 高电流容量 ### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor


贸泽:
肖特基二极管与整流器 Vr/30V Io/1A T/R


艾睿:
Switch from an AC voltage to a DC voltage using a Schottky diode 1N5818 R0 rectifier from Taiwan Semiconductor. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This rectifier has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 125 °C. Its peak non-repetitive surge current is 30 A, while its maximum continuous forward current is 1 A. It is made in a single configuration.


Allied Electronics:
Taiwan Semi 1N5818 R0, Schottky Diode, 30V 1A, 2-Pin DO-41


Chip1Stop:
Diode Schottky 30V 1A 2-Pin DO-41 T/R


Verical:
Diode Schottky 30V 1A 2-Pin DO-41 T/R


1N5818 R0中文资料参数规格
技术参数

正向电压 0.55 V

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 30 A

正向电压Max 875 mV

正向电流Max 1 A

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 2.7 mm

高度 2.7 mm

封装 DO-41

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 国防, 军用与航空, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买1N5818 R0
型号: 1N5818 R0
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:1A,Taiwan Semiconductor 低功率损耗 低正向压降 高电流容量 ### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor
替代型号1N5818 R0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1N5818 R0

Taiwan Semiconductor 台湾半导体

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