1N5260C-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5260C-TR概述

稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-1N5260B

Zener Diode 43V 500mW ±2% Through Hole DO-35

得捷:
DIODE ZENER 3A 43V DO35

贸泽:
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-1N5260B

艾睿:
Diode Zener Single 43V 2% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 T/R

1N5260C-TR中文资料参数规格

技术参数

容差 ±2 %

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 3 mA

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 3.9 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.7 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买1N5260C-TR

型号： 1N5260C-TR

描述：稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-1N5260B

替代型号1N5260C-TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N5260C-TR Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
1N5260C-TAP 威世	类似代替	1N5260C-TR和1N5260C-TAP的区别
1N5260C-TP 美微科	功能相似	1N5260C-TR和1N5260C-TP的区别
1N5260C Central Semiconductor	功能相似	1N5260C-TR和1N5260C的区别