1N4755A-TP概述
DO-41G 43V 1W
Zener Diode 43V 1W ±5% Through Hole DO-41G
得捷:
DIODE ZENER 43V 1W DO41G
贸泽:
Zener Diodes 1.0W 43V
艾睿:
Diode Zener Single 43V 5% 1000mW 2-Pin DO-41G T/R
1N4755A-TP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 43.0 V
容差 ±5 %
额定功率 1.00 W
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 1 W
测试电流 6 mA
稳压值 43 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41G
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.8 mm
高度 2.8 mm
封装 DO-41G
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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替代型号1N4755A-TP
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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