1N4760A-TP参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N4760A-TP概述

1N4760 系列 1 W 3.7 V 200 mA 齐纳二极管- DO-41G

Zener Diode 68V 1W ±5% Through Hole DO-41G

得捷:
DIODE ZENER 68V 1W DO41G

贸泽:
Zener Diodes 1.0W 68V

艾睿:
Diode Zener Single 68V 5% 1000mW 2-Pin DO-41G T/R

Chip1Stop:
Diode Zener Single 68V 5% 1W 2-Pin DO-41G T/R

1N4760A-TP中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 68.0 V

容差 ±5 %

额定功率 1.00 W

正向电压 1.2V @200mA

耗散功率 1 W

测试电流 3.7 mA

稳压值 68 V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41G-2

外形尺寸

长度 4.5 mm

封装 DO-41G-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

1N4760A-TP引脚图与封装图

在线购买1N4760A-TP

型号： 1N4760A-TP

描述：1N4760 系列 1 W 3.7 V 200 mA 齐纳二极管- DO-41G

替代型号1N4760A-TP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N4760A-TP Micro Commercial Components 美微科	当前型号	当前型号
NTE5092A NTE Electronics	类似代替	1N4760A-TP和NTE5092A的区别
1N4760A NTE Electronics	功能相似	1N4760A-TP和1N4760A的区别
3EZ68 Galaxy Semi-Conductor	功能相似	1N4760A-TP和3EZ68的区别