1N5262C-TAP参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5262C-TAP概述

DIODE 51V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

Zener Diode 51V 500mW ±2% Through Hole DO-35

得捷:
DIODE ZENER 2.5A 51V DO35

艾睿:
Diode Zener Single 51V 2% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo

安富利:
Diode Zener Single 51V 2% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo

1N5262C-TAP中文资料参数规格

技术参数

容差 ±2 %

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 2.5 mA

稳压值 51 V

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买1N5262C-TAP

型号： 1N5262C-TAP

描述：DIODE 51V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

替代型号1N5262C-TAP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N5262C-TAP Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
MMSZ51T1G 安森美	功能相似	1N5262C-TAP和MMSZ51T1G的区别
1N5262B NTE Electronics	功能相似	1N5262C-TAP和1N5262B的区别
ZMM51 Taitron	功能相似	1N5262C-TAP和ZMM51的区别