1N5230C-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5230C-TR概述

DIODE 4.7V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

Zener Diode 4.7V 500mW ±2% Through Hole DO-35

得捷:
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

艾睿:
Diode Zener Single 4.7V 2% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 T/R

富昌:
1N5230C 系列 4.7 V 200 mA 通孔小信号齐纳二极管 - DO-35

1N5230C-TR中文资料参数规格

技术参数

容差 ±2 %

正向电压 1.1V @200mA

稳压值 4.7 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

工作温度 175 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买1N5230C-TR

型号： 1N5230C-TR

描述：DIODE 4.7V, 0.5W1/2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

替代型号1N5230C-TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N5230C-TR Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
1N5230 EIC	功能相似	1N5230C-TR和1N5230的区别
BZV55-B4V7 安世	功能相似	1N5230C-TR和BZV55-B4V7的区别
MMSZ5230BS Rectron Semiconductor	功能相似	1N5230C-TR和MMSZ5230BS的区别