1N5230C-TAP参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5230C-TAP概述

稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-1N5230B-TAP

Zener Diode 4.7V 500mW ±2% Through Hole DO-35

得捷:
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

贸泽:
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-1N5230B-TAP

艾睿:
Diode Zener Single 4.7V 2% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo

1N5230C-TAP中文资料参数规格

技术参数

容差 ±2 %

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 20 mA

稳压值 4.7 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 3.9 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.7 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买1N5230C-TAP

型号： 1N5230C-TAP

描述：稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-1N5230B-TAP

替代型号1N5230C-TAP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N5230C-TAP Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
MMSZ4V7T1G 安森美	功能相似	1N5230C-TAP和MMSZ4V7T1G的区别
SZMMSZ5230BT1G 安森美	功能相似	1N5230C-TAP和SZMMSZ5230BT1G的区别
1N5230 EIC	功能相似	1N5230C-TAP和1N5230的区别