15C01C-TB-E概述
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 0.7A 15V
15C01C is Bipolar Transistor, 15V, 0.7A, Low VCEsat NPN Single CP for Low-Frequency General-Purpose Amplifi er Applications.
Features
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- Large current capacity
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- Low collector-to-emitter saturation voltage resistance RCE sat typ.=0.58Ohm IC=0.7A, IB=35mA
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- Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products
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- Small ON-resistance Ron
15C01C-TB-E中文资料参数规格
技术参数
频率 330 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 0.7A
最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 800
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Low-frequency Amplifi er, muting circuit
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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