12A02CH-TL-E

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12A02CH-TL-E概述

NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

通用 NPN ,最大 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 12V 1A 3CPH


立创商城:
12A02CH-TL-E


欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 12V


艾睿:
Trans GP BJT PNP 12V 1A 3-Pin CPH T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 12V 1A 3-Pin CPH T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 12V 1A 700mW 3-Pin CPH T/R


12A02CH-TL-E中文资料参数规格
技术参数

频率 450 MHz

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 700 mW

增益频宽积 450 MHz

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 700

额定功率Max 700 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 CPH-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.9 mm

封装 CPH-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Low-frequency Amplifier, high-speed switching, small motor drive, muting circuit

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买12A02CH-TL-E
型号: 12A02CH-TL-E
描述:NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

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