1PMT5935BT1G

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1PMT5935BT1G概述

3.2W,1PMT59xxB 系列,On Semiconductor表面安装 POWERMITE® 封装 ### Zener Diodes, ON Semiconductor

- 齐纳 27 V 3.2 W ±5% 表面贴装型 Powermite


得捷:
DIODE ZENER 27V 3.2W POWERMITE


立创商城:
1PMT5935BT1G


欧时:
### 齐纳二极管 3.2W,1PMT59xxB 系列,On Semiconductor表面安装 POWERMITE® 封装 ### Zener Diodes, ON Semiconductor


艾睿:
If you need a diode to operate in the reverse breakdown region then use a voltage regulator 1PMT5935BT1G zener diode from ON Semiconductor. Its test current is 13.9 mA. Its maximum power dissipation is 3200 mW. Its maximum leakage current is 1 μA. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This zener diode has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration. This zener device has a nominal voltage of 27 V and a voltage tolerance of 5%.


Allied Electronics:
1PMT5935BT1G Zener Diode, 27V 3.2 W SMT2-Pin Case 457-04


安富利:
Diode Zener Single 27V 5% 500mW 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Chip1Stop:
Diode Zener Single 27V 5% 500mW 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Verical:
Zener Diode Single 27V 5% 23Ohm 3200mW 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1PMT5935BT1G  Zener Single Diode, 27 V, 3.2 W, DO-216AA, 2 Pins, 150 °C


1PMT5935BT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.20 V

容差 ±5 %

额定功率 3.20 W

无卤素状态 Halogen Free

正向电压 1.25V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 13.9 mA

稳压值 27 V

额定功率Max 3.2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-216AA

外形尺寸

长度 2.18 mm

宽度 2.05 mm

高度 1.15 mm

封装 DO-216AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

1PMT5935BT1G引脚图与封装图
1PMT5935BT1G引脚图
1PMT5935BT1G封装图
1PMT5935BT1G封装焊盘图
在线购买1PMT5935BT1G
型号: 1PMT5935BT1G
描述:3.2W,1PMT59xxB 系列,On Semiconductor 表面安装 POWERMITE® 封装 ### Zener Diodes, ON Semiconductor
替代型号1PMT5935BT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1PMT5935BT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

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安森美

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