1SMA12AT3G

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1SMA12AT3G概述

400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

极性Polarization | 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage | 12V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage | 14V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation | 400W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current | 20.1A 额定耗散功率PdPower dissipation | 1.5W Description & Applications | 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors;Features • Working Peak Reverse Voltage Range − 5.0 V to 78 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 6.7 V to 91.25 V • Peak Power − 400 W @ 1 ms • ESD Rating of Class 3 > 16 kV per Human Body Model • Response Time is Typically < 1 ns • Flat Handling Surface for Accurate Placement • Package Design for Top Slide or Bottom Circuit Board Mounting • Low Profile Package • Pb−Free Packages are Available 描述与应用 | 400瓦峰值功率稳压 瞬态电压 抑制器;特性 •工作峰值反向电压范围−5.0 V到78 V •标准齐纳击穿电压范围−6.7 V至91.25 V •峰值功率400 W @ 1−女士 •防静电等级3级> 16千伏/人体模型 •响应时间通常是< 1 ns •平处理表面便于精准定位 •包装设计便于顶层或底层电路板安装 •小外形包装 •无铅包装

1SMA12AT3G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 13.3 V

电路数 1

耗散功率 400 W

钳位电压 19.9 V

最大反向电压(Vrrm) 12V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 14.7 V

脉冲峰值功率 400 W

最小反向击穿电压 13.3 V

击穿电压 13.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMA

外形尺寸

长度 4.32 mm

宽度 2.6 mm

高度 2.2 mm

封装 SMA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1SMA12AT3G
型号: 1SMA12AT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向) 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
替代型号1SMA12AT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1SMA12AT3G

ON Semiconductor 安森美

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1SMA12AT3

安森美

完全替代

1SMA12AT3G和1SMA12AT3的区别

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