1SMB26AT3G

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1SMB26AT3G概述

600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

**600W Zener SMT Transient Voltage Suppressor Unidirectional**

SMB series Zener Transient Voltage Suppressors are designed to protect voltage-sensitive components from destructive high energy transient voltage spikes. They feature high surge capacity with excellent clamping capability, low zener impedance and fast response time.


得捷:
TVS DIODE 26VWM 42.1VC 425TEPBGA


立创商城:
Vrwm:26V 600W


欧时:
### 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 26V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


Allied Electronics:
DIODE; ZENER; TVS; UNI-DIR; 600W 26V; SMB PKG


安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 26V 600W 2-Pin SMB T/R


富昌:
1SMB 系列 31.9 V 600 W 单向 功率 齐纳 瞬态电压抑制器


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 26V 600W 2-Pin SMB T/R


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 26V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1SMB26AT3G  TVS Diode, 1SMB Series, Unidirectional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA, 2 Pins


罗切斯特:
Diode TVS Single Uni-Dir 26V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


Win Source:
TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMB


1SMB26AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 26.0 V

电容 630 pF

额定功率 600 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 30.4 V

电路数 1

耗散功率 600 W

钳位电压 42.1 V

最大反向电压(Vrrm) 26V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 31.9 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 28.9 V

击穿电压 28.9 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMB

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 3.95 mm

高度 2.2 mm

封装 SMB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1SMB26AT3G
型号: 1SMB26AT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向) ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
替代型号1SMB26AT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1SMB26AT3G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

1SMB26AT3

安森美

完全替代

1SMB26AT3G和1SMB26AT3的区别

P6SMB33CAT3G

安森美

功能相似

1SMB26AT3G和P6SMB33CAT3G的区别

SMBJ26A-TR

意法半导体

功能相似

1SMB26AT3G和SMBJ26A-TR的区别

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