














ON SEMICONDUCTOR 1SMB51AT3G TVS Diode, 1SMB Series, Unidirectional, 51 V, 82.4 V, DO-214AA, 2 Pins 新
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 51V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 59.7V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 600W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 7.3A 额定耗散功率PdPower dissipation| 3W Description & Applications| 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors;Features • Working Peak Reverse Voltage Range − 5.0 V to 170 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 6.7 V to 199 V • Peak Power − 600 W @ 1.0 ms • ESD Rating of Class 3 >16 kV per Human Body Model • Maximum Clamp Voltage @ Peak Pulse Current • Low Leakage < 5.0 uA Above 10 V • UL 497B for Isolated Loop Circuit Protection • Response Time is Typically < 1.0 ns • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器;特性 •工作峰值反向电压范围 - 5.0 V至170 V •标准齐纳击穿电压范围 - 6.7 V至199 V •峰值电力 - 600 W@1.0ms •每人体模型ESD额定值的类3(>16千伏) •最大钳位电压峰值脉冲电流 •低漏高于10 V<5.0 UA •UL497B用于隔离回路的电路保护 •响应时间通常<1.0ns •无铅包可用
额定电压DC 51.0 V
工作电压 51 V
电容 345 pF
额定功率 600 W
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 59.7 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 600 W
钳位电压 82.4 V
最大反向电压(Vrrm) 51V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 62.7 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 56.7 V
击穿电压 56.7 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA
长度 4.6 mm
宽度 3.95 mm
高度 2.45 mm
封装 DO-214AA
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
1SMB51AT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
SMBJ43CA 伯恩斯 | 功能相似 | 1SMB51AT3G和SMBJ43CA的区别 |
SMBJ51CA 力特 | 功能相似 | 1SMB51AT3G和SMBJ51CA的区别 |
SMBJ51A 力特 | 功能相似 | 1SMB51AT3G和SMBJ51A的区别 |