1SMB70AT3G

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1SMB70AT3G概述

600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

113V Clamp 5.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB


得捷:
TVS DIODE 70VWM 113VC SMB


立创商城:
Vrwm:70V 600W


欧时:
### 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 70V 600W 2-Pin SMB T/R


富昌:
1SMB 系列 86 V 600 W 单向 功率 齐纳 瞬态电压抑制二极管


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 70V 600W 2-Pin SMB T/R


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 70V 600W 2-Pin SMB T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1SMB70AT3G  TVS Diode, 1SMB Series, Unidirectional, 70 V, 113 V, 403A, 2 Pins


罗切斯特:
Diode TVS Single Uni-Dir 70V 600W 2-Pin SMB T/R


Win Source:
TVS DIODE 70VWM 113VC SMB


1SMB70AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 7.00 V

工作电压 70 V

额定功率 600 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 81.9 V

电路数 1

钳位电压 113 V

最大反向电压(Vrrm) 70V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 86 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 77.8 V

击穿电压 77.8 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMB

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 3.95 mm

高度 2.45 mm

封装 SMB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1SMB70AT3G
型号: 1SMB70AT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向) ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
替代型号1SMB70AT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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SMBJ70A

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