1SMB6.5AT3G

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1SMB6.5AT3G概述

600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

**600W Zener SMT Transient Voltage Suppressor Unidirectional**

SMB series Zener Transient Voltage Suppressors are designed to protect voltage-sensitive components from destructive high energy transient voltage spikes. They feature high surge capacity with excellent clamping capability, low zener impedance and fast response time.


得捷:
TVS DIODE 6.5V 11.2V 425TEPBGA I


立创商城:
Vrwm:6.5V 600W


欧时:
### 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 6.5V 600W 2-Pin SMB T/R


Allied Electronics:
DIODE, ZENER, TVS, UNI-DIR, 600W 6.5V, SMB PKG


安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 6.5V 600W 2-Pin SMB T/R


富昌:
1SMB 系列 7.98 V 600 W 单向 功率 齐纳 瞬态电压抑制器


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 6.5V 600W 2-Pin SMB T/R


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 6.5V 600W 2-Pin SMB T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1SMB6.5AT3G  TVS Diode, 1SMB Series, Unidirectional, 6.5 V, 11.2 V, 403A, 2 Pins


罗切斯特:
Diode TVS Single Uni-Dir 6.5V 600W 2-Pin SMB T/R


Win Source:
TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC SMB


1SMB6.5AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.50 V

工作电压 6.5 V

电容 2140 pF

额定功率 600 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 7.22 V

电路数 1

耗散功率 600 W

钳位电压 11.2 V

最大反向电压(Vrrm) 6.5V

测试电流 10 mA

最大反向击穿电压 7.98 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 7.22 V

击穿电压 7.22 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMB

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 3.95 mm

高度 2.2 mm

封装 SMB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1SMB6.5AT3G
型号: 1SMB6.5AT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向) ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
替代型号1SMB6.5AT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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安森美

完全替代

1SMB6.5AT3G和1SMB6.5AT3的区别

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