400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
极性Polarization | 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage | 70V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage | 81.9V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation | 400W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current | 3.5A 额定耗散功率PdPower dissipation | 1.5VW Description & Applications | 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors;Specification Features • Working Peak Reverse Voltage Range − 10 V to 78 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 11.7 V to 91.3 V • Peak Power − 400 Watts @ 1 ms • ESD Rating of Class 3 > 16 kV per Human Body Model • Response Time is Typically < 1 ns • Flat Handling Surface for Accurate Placement • Package Design for Top Slide or Bottom Circuit Board Mounting • Low Profile Package • Pb−Free Packages are Available 描述与应用 | 400瓦峰值功率稳压 瞬态电压 抑制器;规格特性 •工作峰值反向电压范围 - 10 V至78 V •标准齐纳击穿电压范围 - 11.7 V至91.3 V •峰值电力 - 400瓦@1ms •每人体模型ESD额定值的3类(>16千伏) •响应时间通常小于1 ns •精确放置的平面处理表面 •滑动顶部或底部的电路板安装的包装设计 •薄型封装 •无铅包可用
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 81.9 V
电路数 1
耗散功率 400 W
钳位电压 113 V
最大反向电压(Vrrm) 70V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 400 W
最小反向击穿电压 77.8 V
击穿电压 77.8 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMA
长度 4.32 mm
宽度 2.6 mm
高度 2.2 mm
封装 SMA
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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1SMA70AT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
1SMA70AT3 安森美 | 完全替代 | 1SMA70AT3G和1SMA70AT3的区别 |
SZ1SMA70AT3G 安森美 | 完全替代 | 1SMA70AT3G和SZ1SMA70AT3G的区别 |
SMAJ70A 伯恩斯 | 功能相似 | 1SMA70AT3G和SMAJ70A的区别 |