600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
121V Clamp 4.9A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB
得捷:
TVS DIODE 75VWM 121VC SMB
艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 75V 600W 2-Pin SMB T/R
Allied Electronics:
1SMB75CAT3G, Bi-Directional TVS Diode, 600W, 2-Pin SMB
安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 75V 600W 2-Pin SMB T/R
Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 75V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
Verical:
TVS Diode Single Bi-Dir 75V 600W 2-Pin SMB T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 1SMB75CAT3G TVS Diode, 1SMB Series, Bidirectional, 75 V, 121 V, DO-214AA, 2 Pins
罗切斯特:
Diode TVS Single Bi-Dir 75V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
Win Source:
TVS DIODE 75VWM 121VC SMB
电容 125 pF
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 83.3 V
电路数 1
耗散功率 600 W
钳位电压 121 V
最大反向电压(Vrrm) 75V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 92.07 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 83.3 V
击穿电压 83.3 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
长度 4.57 mm
宽度 3.95 mm
高度 2.41 mm
封装 SMB
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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1SMB75CAT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
1SMB75CAT3 安森美 | 完全替代 | 1SMB75CAT3G和1SMB75CAT3的区别 |
1SMB64AT3G 安森美 | 类似代替 | 1SMB75CAT3G和1SMB64AT3G的区别 |
1SMB64CAT3G 安森美 | 类似代替 | 1SMB75CAT3G和1SMB64CAT3G的区别 |