














600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
19.9V Clamp 30.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB
得捷:
600 W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESS
欧时:
### 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 12V 600W 2-Pin SMB T/R
Allied Electronics:
1SMB12CAT3G; Bi-Directional TVS Diode; 600W; 2-Pin SMB
安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 12V 600W 2-Pin SMB T/R
富昌:
1SMB 系列 14.7 V 600 W 双向 功率 齐纳 瞬态电压抑制器
Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 12V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
Verical:
Diode TVS Single Bi-Dir 12V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 1SMB12CAT3G TVS Diode, 1SMB Series, Bidirectional, 12 V, 19.9 V, 403C, 2 Pins
罗切斯特:
Diode TVS Single Bi-Dir 12V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
Win Source:
TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB
额定电压DC 12.0 V
电容 680 pF
额定功率 600 W
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 13.3 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 600 W
钳位电压 19.9 V
最大反向电压(Vrrm) 12V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 14.7 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 13.3 V
击穿电压 13.3 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
长度 4.57 mm
宽度 3.81 mm
高度 2.41 mm
封装 SMB
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
1SMB12CAT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
P6SMB13AT3G 安森美 | 类似代替 | 1SMB12CAT3G和P6SMB13AT3G的区别 |
1SMB13CAT3G 安森美 | 类似代替 | 1SMB12CAT3G和1SMB13CAT3G的区别 |
1SMB11CAT3G 安森美 | 类似代替 | 1SMB12CAT3G和1SMB11CAT3G的区别 |