1SMB12CAT3G

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1SMB12CAT3G概述

600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

19.9V Clamp 30.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB


得捷:
600 W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESS


欧时:
### 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 12V 600W 2-Pin SMB T/R


Allied Electronics:
1SMB12CAT3G; Bi-Directional TVS Diode; 600W; 2-Pin SMB


安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 12V 600W 2-Pin SMB T/R


富昌:
1SMB 系列 14.7 V 600 W 双向 功率 齐纳 瞬态电压抑制器


Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 12V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


Verical:
Diode TVS Single Bi-Dir 12V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1SMB12CAT3G  TVS Diode, 1SMB Series, Bidirectional, 12 V, 19.9 V, 403C, 2 Pins


罗切斯特:
Diode TVS Single Bi-Dir 12V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


Win Source:
TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB


1SMB12CAT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 12.0 V

电容 680 pF

额定功率 600 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 13.3 V

电路数 1

针脚数 2

耗散功率 600 W

钳位电压 19.9 V

最大反向电压(Vrrm) 12V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 14.7 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 13.3 V

击穿电压 13.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMB

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.81 mm

高度 2.41 mm

封装 SMB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1SMB12CAT3G
型号: 1SMB12CAT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向) ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
替代型号1SMB12CAT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1SMB12CAT3G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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P6SMB13AT3G

安森美

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