600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
82.4V Clamp 7.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB
得捷:
TVS DIODE 51VWM 82.4VC SMB
欧时:
### 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
贸泽:
TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 51V 600W Bidirectional
艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 51V 600W 2-Pin SMB T/R
Allied Electronics:
1SMB51CAT3G, Bi-Directional TVS Diode, 600W, 2-Pin SMB
Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 51V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
Verical:
Diode TVS Single Bi-Dir 51V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 1SMB51CAT3G TVS Diode, 1SMB Series, Bidirectional, 51 V, 82.4 V, DO-214AA, 2 Pins
罗切斯特:
Diode TVS Single Bi-Dir 51V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
Win Source:
TVS DIODE 51VWM 82.4VC SMB
电容 175 pF
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 56.7 V
电路数 1
耗散功率 600 W
钳位电压 82.4 V
最大反向电压(Vrrm) 51V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 62.7 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 56.7 V
击穿电压 56.7 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA
长度 4.57 mm
宽度 3.95 mm
高度 2.41 mm
封装 DO-214AA
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
1SMB51CAT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
1SMB51CAT3 安森美 | 完全替代 | 1SMB51CAT3G和1SMB51CAT3的区别 |
SMBJ36A 力特 | 功能相似 | 1SMB51CAT3G和SMBJ36A的区别 |
SMBJ43CA 伯恩斯 | 功能相似 | 1SMB51CAT3G和SMBJ43CA的区别 |