199D105X9035A2B1E3

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199D105X9035A2B1E3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 35.0 V

电容 1 µF

容差 ±10 %

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 35 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 纸带和纸轮

引脚间距 2.54 mm

外形尺寸

封装 纸带和纸轮

引脚间距 2.54 mm

物理参数

介质材料 Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买199D105X9035A2B1E3
型号: 199D105X9035A2B1E3
描述:VISHAY  199D105X9035A2B1E3  钽电容, 1UF, 35V, 径向引线, 10%, 整卷
替代型号199D105X9035A2B1E3
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199D105X9035A2B1E3

Vishay Semiconductor 威世

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199D105X9035A1V1E3

威世

完全替代

199D105X9035A2B1E3和199D105X9035A1V1E3的区别

MCDT1K35-1-RH

Multicomp

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