400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
**400W Zener Transient Voltage Suppressor Unidirectional**
The SMA series of Zener Transient Voltage Suppressors is designed to protect voltage sensitive components from damage caused by high voltage, high energy transients. They have excellent clamping capability with a high 400W surge capability and feature low zener impedance and fast response time.
欧时:
### 400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 400W 2-Pin SMA T/R
Allied Electronics:
1SMA40AT3G, Uni-Directional TVS Diode, 400W, 2-Pin SMA
安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 400W 2-Pin SMA T/R
富昌:
1SMA 系列 400 W 44.4 至 19.1 V 表面贴装 单向 TVS 二极管 - DO-214AC
Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R
Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 400W 2-Pin SMA T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 1SMA40AT3G TVS DIODE, 400W, 40V, UNIDIR, DO-214AC
罗切斯特:
Diode TVS Single Uni-Dir 40V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R
Win Source:
TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMA
额定功率 400 W
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 44.4 V
电路数 1
针脚数 2
钳位电压 64.5 V
最大反向电压(Vrrm) 40V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 49.1 V
脉冲峰值功率 400 W
最小反向击穿电压 44.4 V
击穿电压 44.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMA
长度 4.57 mm
宽度 2.92 mm
高度 2.05 mm
封装 SMA
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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1SMA40AT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
SMAJ40A 意法半导体 | 类似代替 | 1SMA40AT3G和SMAJ40A的区别 |
1SMA40AT3 安森美 | 类似代替 | 1SMA40AT3G和1SMA40AT3的区别 |
SMAJ30A-TR 意法半导体 | 功能相似 | 1SMA40AT3G和SMAJ30A-TR的区别 |