ON SEMICONDUCTOR 1SMB20CAT3G 二极管, TVS, 600W, 20V, SMB
32.4V Clamp 18.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount 425-TEPBGA I 19x19
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TVS DIODE 20VWM 32.4VC 425TEPBGA
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### 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 20V 600W Bidirectional
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Diode TVS Single Bi-Dir 20V 600W 2-Pin SMB T/R
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1SMB20CAT3G, Bi-Directional TVS Diode, 600W, 2-Pin SMB
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1SMB 系列 24.5 V 600 W 双向 功率 齐纳 瞬态电压抑制二极管
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Diode TVS Single Bi-Dir 20V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
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# ON SEMICONDUCTOR 1SMB20CAT3G TVS Diode, 1SMB Series, Bidirectional, 20 V, 32.4 V, 403C, 2 Pins
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Diode TVS Single Bi-Dir 20V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
额定电压DC 20.0 V
电容 425 pF
额定功率 600 W
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 22.2 V
电路数 1
耗散功率 600 W
钳位电压 32.4 V
最大反向电压(Vrrm) 20V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 24.5 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 22.2 V
击穿电压 22.2 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
长度 4.57 mm
宽度 3.95 mm
高度 2.41 mm
封装 SMB
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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1SMB20CAT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
P6SMB20CAT3G 安森美 | 类似代替 | 1SMB20CAT3G和P6SMB20CAT3G的区别 |
1SMB20CAT3 安森美 | 类似代替 | 1SMB20CAT3G和1SMB20CAT3的区别 |
SMBJ20CA 力特 | 功能相似 | 1SMB20CAT3G和SMBJ20CA的区别 |