199D106X06R3B1V1E3

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199D106X06R3B1V1E3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.30 V

电容 10.0 µF

容差 ±20 %

额定电压 6.3 V

封装参数

安装方式 Through Hole

物理参数

介质材料 Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: 199D106X06R3B1V1E3
描述:Cap Tant Solid 10uF 6.3V 20% 5 X 7.62mm Radial 2.54mm 125℃ Bulk
替代型号199D106X06R3B1V1E3
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Vishay Semiconductor 威世

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完全替代

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