199D685X9010B2V1E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

199D685X9010B2V1E3中文资料参数规格

技术参数

电容 6.80 µF

容差 ±10 %

额定电压 10 V

封装参数

安装方式 Through Hole

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买199D685X9010B2V1E3

型号： 199D685X9010B2V1E3

描述：CAP TANT 6.8uF 10V 10% RADIAL

替代型号199D685X9010B2V1E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
199D685X9010B2V1E3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
199D685X9010B1V1E3 威世	完全替代	199D685X9010B2V1E3和199D685X9010B1V1E3的区别
199D685X0010B1V1E3 威世	功能相似	199D685X9010B2V1E3和199D685X0010B1V1E3的区别
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