1SMB8.5AT3参数规格_中文资料_数据手册PDF

1SMB8.5AT3概述

600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

14.4V Clamp 41.7A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB

得捷:
TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SMB

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 8.5V 600W

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 8.5V 600W 2-Pin SMB T/R

Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 8.5V 600W 2-Pin SMB T/R

Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 8.5V 600W 2-Pin SMB T/R

1SMB8.5AT3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 8.50 V

工作电压 8.5 V

额定功率 600 W

击穿电压 9.44 V

钳位电压 14.4 V

最大反向电压（Vrrm） 8.5V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 9.44 V

击穿电压 9.44 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.81 mm

高度 2.2 mm

封装 DO-214AA-2

厚度 2.41 mm

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1SMB8.5AT3

型号： 1SMB8.5AT3

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

立即咨询

替代型号1SMB8.5AT3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1SMB8.5AT3 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
1SMB8.5AT3G 力特	类似代替	1SMB8.5AT3和1SMB8.5AT3G的区别
SMBJ8.5A-13-F 美台	功能相似	1SMB8.5AT3和SMBJ8.5A-13-F的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

1SMB8.5AT3

ON Semiconductor 安森美

当前型号

1SMB8.5AT3G

力特

类似代替

1SMB8.5AT3和1SMB8.5AT3G的区别

SMBJ8.5A-13-F

美台

功能相似

1SMB8.5AT3和SMBJ8.5A-13-F的区别