1N4150-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N4150-1概述

硅开关二极管DO- 35玻璃封装 Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package

If your circuit needs to adjust from an AC to DC voltage use a switching diode rectifier from . Its maximum power dissipation is 500 mW. It is made in a single configuration. Its peak non-repetitive surge current is 0.5 A, while its maximum continuous forward current is 0.4 A. This rectifier has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.

1N4150-1中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1V @200mA

耗散功率 500 mW

反向恢复时间 4 ns

正向电流 400 mA

正向电压Max 1V @200mA

正向电流Max 400 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买1N4150-1

型号： 1N4150-1

制造商： Microsemi 美高森美

描述：硅开关二极管DO- 35玻璃封装 Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package

立即咨询

替代型号1N4150-1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N4150-1 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
1N4148TA 飞兆/仙童	功能相似	1N4150-1和1N4148TA的区别
1N914ATR 飞兆/仙童	功能相似	1N4150-1和1N914ATR的区别
1N914BTR 飞兆/仙童	功能相似	1N4150-1和1N914BTR的区别