1PMT16AT3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

1PMT16AT3G概述

1PMT 系列 19.7 V 200 W 齐纳瞬态电压抑制二极管 POWERMITE

26V Clamp Ipp Tvs Diode Surface Mount Powermite

得捷:
TVS ZENER 16V 175W POWERMITE

艾睿:
ESD Suppressor TVS 16V 2-Pin1+Tab Power Mite T/R

富昌:
1PMT 系列 19.7 V 200 W 齐纳瞬态电压抑制二极管 POWERMITE

Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R

罗切斯特:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R

Win Source:
Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package

1PMT16AT3G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 16.0 V

工作电压 16 V

额定功率 200 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 17.8 V

电路数 1

钳位电压 26 V

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 17.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-216AA

外形尺寸

长度 2.18 mm

宽度 2.05 mm

高度 1.15 mm

封装 DO-216AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1PMT16AT3G

型号： 1PMT16AT3G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：1PMT 系列 19.7 V 200 W 齐纳瞬态电压抑制二极管 POWERMITE

替代型号1PMT16AT3G