1N6267ARL4G

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1N6267ARL4G概述

1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

Mosorb devices are designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high-energy transients. They have excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time. These devices are ’s exclusive, cost-effective, highly reliable Surmetic axial leaded package and are ideally-suited for use in communication systems, numerical controls, process controls, medical equipment, business machines, power supplies and many other industrial/consumer applications, to protect CMOS, MOS and Bipolar integrated circuits.

1N6267ARL4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.80 V

额定功率 1.50 kW

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 6.80 V

电路数 1

钳位电压 10.5 V

最大反向电压(Vrrm) 5.8V

测试电流 10 mA

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 6.45 V

击穿电压 6.45 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 175℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AD

外形尺寸

长度 9.5 mm

宽度 5.3 mm

高度 5.3 mm

直径 5.30 mm

封装 DO-201AD

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

1N6267ARL4G引脚图与封装图
1N6267ARL4G引脚图
1N6267ARL4G封装图
1N6267ARL4G封装焊盘图
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型号: 1N6267ARL4G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
替代型号1N6267ARL4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1N6267ARL4G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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