1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Mosorb devices are designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high-energy transients. They have excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time. These devices are ’s exclusive, cost-effective, highly reliable Surmetic axial leaded package and are ideally-suited for use in communication systems, numerical controls, process controls, medical equipment, business machines, power supplies and many other industrial/consumer applications, to protect CMOS, MOS and Bipolar integrated circuits.
额定电压DC 6.80 V
额定功率 1.50 kW
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 6.80 V
电路数 1
钳位电压 10.5 V
最大反向电压(Vrrm) 5.8V
测试电流 10 mA
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 6.45 V
击穿电压 6.45 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 175℃
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-201AD
长度 9.5 mm
宽度 5.3 mm
高度 5.3 mm
直径 5.30 mm
封装 DO-201AD
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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1N6267ARL4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
1N6267AG 安森美 | 类似代替 | 1N6267ARL4G和1N6267AG的区别 |
1.5KE6.8AG 安森美 | 类似代替 | 1N6267ARL4G和1.5KE6.8AG的区别 |
1.5KE6.8ARL4G 安森美 | 类似代替 | 1N6267ARL4G和1.5KE6.8ARL4G的区别 |