1N6383-E3/51

1N6383-E3/51概述

Diode TVS Single Bi-Dir 10V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk

14.5V Clamp 90A Ipp Tvs Diode Through Hole 1.5KE


得捷:
TVS DIODE 10V 14.5V 1.5KE


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 10V 1.5KW 2-Pin Case 1.5KE Bulk


安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 10V 1.5KW 2-Pin Case 1.5KE Bulk


1N6383-E3/51中文资料参数规格
技术参数

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 11.7 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-201AA

外形尺寸

封装 DO-201AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: 1N6383-E3/51
描述:Diode TVS Single Bi-Dir 10V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk
替代型号1N6383-E3/51
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1N6383-E3/51

Vishay Semiconductor 威世

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1N6383HE3_A/C

威世

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1N6383-E3/51和1N6383HE3_A/C的区别

1N6383HE3_A/D

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