1N6376RL4G参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N6376RL4G中文资料参数规格

技术参数

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 14.1 V

电路数 1

钳位电压 16.5 V

最大反向电压（Vrrm） 12V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 14.1 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AD

外形尺寸

长度 9.5 mm

封装 DO-201AD

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1N6376RL4G

型号： 1N6376RL4G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors

替代型号1N6376RL4G