1N3881R

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1N3881R概述

Diode Switching 200V 6A 2Pin DO-4

Features

• High Surge Capability

• Types up to 400 V VRRM

• Not ESD Sensitive


得捷:
DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4


艾睿:
Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4


Chip1Stop:
Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4


Electro Sonic:
Silicon Stud Rectifier - Fast Recovery Rev Config - 200V - 6A - DO-4


1N3881R中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.4V @6A

热阻 2.5℃/W RθJC

反向恢复时间 200 ns

封装参数

安装方式 Chassis

封装 DO-203AA

外形尺寸

封装 DO-203AA

物理参数

工作温度 100 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买1N3881R
型号: 1N3881R
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Switching 200V 6A 2Pin DO-4
替代型号1N3881R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1N3881R

GeneSiC Semiconductor

当前型号

当前型号

1N388

Central Semiconductor

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1N3881R和1N388的区别

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