1N1206A

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1N1206A概述

整流器 600V 12A Std. Recovery

Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4


得捷:
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4


贸泽:
整流器 600V 12A Std. Recovery


艾睿:
Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  1N1206A  Diode Module, 600 V, 12 A, 1.1 V, Single


Electro Sonic:
Silicon Stud Rectifier - Std Recovery Std Config - 600V - 12A - DO-4


1N1206A中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1V @12A

热阻 2℃/W RθJC

正向电流 12 A

正向电压Max 1.1 V

正向电流Max 12 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 2

封装 DO-4

外形尺寸

高度 22.79 mm

封装 DO-4

物理参数

工作温度 150 ℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买1N1206A
型号: 1N1206A
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:整流器 600V 12A Std. Recovery
替代型号1N1206A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1N1206A

GeneSiC Semiconductor

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