1N3768R

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1N3768R概述

Diode Switching 1kV 35A 2Pin DO-5

Diode Standard, Reverse Polarity 1000V 35A Chassis, Stud Mount DO-5


得捷:
DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5


艾睿:
Diode Switching 1KV 35A 2-Pin DO-5


AMEYA360:
DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5


Win Source:
DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5


Electro Sonic:
Silicon Stud Rectifier - Std Recovery Rev Config - 1000V - 35A - DO-5


1N3768R中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.2V @35A

正向电压Max 1.2V @35A

正向电流Max 35 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 2

封装 DO-203AB

外形尺寸

高度 23.18 mm

封装 DO-203AB

物理参数

工作温度 140 ℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买1N3768R
型号: 1N3768R
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Switching 1kV 35A 2Pin DO-5

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