1N8031-GA

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1N8031-GA概述

GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8031-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650V, 1A, 7NC, TO-276


得捷:
DIODE SIL CARBIDE 650V 1A TO276


贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 650V, 1A, 225 Deg. C


艾睿:
Diode Schottky 650V 4A 3-Pin SMD-0.5


Verical:
Diode Schottky 650V 4A 3-Pin SMD-0.5


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  1N8031-GA  Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650 V, 1 A, 7 nC, TO-276


AMEYA360:
DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276


1N8031-GA中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.5V @1A

耗散功率 64000 mW

反向恢复时间 0 ns

正向电流 1 A

正向电流Max 4 A

工作温度Max 210 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 210℃

工作结温Max 250 ℃

耗散功率Max 64000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-276

外形尺寸

高度 2.61 mm

封装 TO-276

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买1N8031-GA
型号: 1N8031-GA
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8031-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650V, 1A, 7NC, TO-276
替代型号1N8031-GA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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GeneSiC Semiconductor

当前型号

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