1N8026-GA概述
GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8026-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 1200V Series, Single, 1.2kV, 2.5A, 29NC, TO-257
得捷:
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257
艾睿:
Diode Schottky 1.2KV 2.5A 3-Pin3+Tab TO-257 Isolated
Verical:
Diode Schottky 1.2KV 2.5A 3-Pin3+Tab TO-257 Isolated
Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8026-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 1200V Series, Single, 1.2 kV, 2.5 A, 29 nC, TO-257
AMEYA360:
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
1N8026-GA中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.6V @2.5A
耗散功率 66000 mW
反向恢复时间 0 ns
正向电流 2.5 A
正向电压Max 1.6V @2.5A
正向电流Max 2.5 A
工作温度Max 210 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 210℃
工作结温Max 250 ℃
耗散功率Max 66000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-257-3
外形尺寸
高度 16.89 mm
封装 TO-257-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买1N8026-GA
型号： 1N8026-GA
制造商：
GeneSiC Semiconductor
描述：GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8026-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 1200V Series, Single, 1.2kV, 2.5A, 29NC, TO-257