10A015

10A015中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 6000 mW

击穿电压集电极-发射极 24 V

增益 9dB ~ 9.5dB

最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 5V

额定功率Max 6 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 6000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 FT-55

外形尺寸

高度 3.3 mm

封装 FT-55

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买10A015
型号: 10A015
描述:RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.75A IC, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55Ft, 4Pin

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