1N8024-GA参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N8024-GA概述

DIODE, SCHOTTKY, 750mA, 1.2kV, TO-257-3; Diode Type: SiC Schottky; Forward Curren

得捷:
DIODE SIL CARB 1.2KV 750MA TO257

艾睿:
Diode Schottky 1.2KV 2.5A 3-Pin3+Tab TO-257 Isolated

Verical:
Diode Schottky 1.2KV 2.5A 3-Pin3+Tab TO-257 Isolated

AMEYA360:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

1N8024-GA中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.74V @750mA

耗散功率 24000 mW

反向恢复时间 0 ns

正向电流 2500 mA

正向电压Max 1.74V @750mA

正向电流Max 2.5 A

工作温度Max 250 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 250℃

耗散功率Max 24000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-257-3

外形尺寸

高度 16.89 mm

封装 TO-257-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买1N8024-GA

型号： 1N8024-GA

制造商： GeneSiC Semiconductor

描述：DIODE, SCHOTTKY, 750mA, 1.2kV, TO-257-3; Diode Type: SiC Schottky; Forward Curren